半导体结构及半导体结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011558638.9

申请日：

2020-12-25

公开(公告)号：

CN114695313B

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

金志勋白国斌高建峰王桂磊丁云凌崔恒玮

申请人：

中国科学院微电子研究所真芯（北京）半导体有限责任公司

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L23/532

IPC分类号：

H01L21/768

代理机构：

北京华沛德权律师事务所 11302

代理人：

房德权

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

金志勋 ;

白国斌 ;

高建峰 ;

王桂磊 ;

丁云凌 ;

崔恒玮 .

中国专利 :CN114695313A ,2022-07-01

[2]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

李斌 ;

熊鹏 ;

叶偲偲 ;

徐一凡 ;

王瑜彬 .

中国专利 :CN115223990B ,2025-01-21

[3]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN103165522A ,2013-06-19

[4]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

刘松 .

中国专利 :CN118019353A ,2024-05-10

[5]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

邱晶 .

中国专利 :CN118486650A ,2024-08-13

[6]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN114678330A ,2022-06-28

[7]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

刘松 .

中国专利 :CN118019354A ,2024-05-10

[8]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

蔡方文 ;

陈奕伊 ;

吴振诚 ;

林志隆 ;

包天一 ;

郑双铭 ;

余振华 .

中国专利 :CN100550316C ,2007-10-31

[9]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

张毅俊 ;

苏博 .

中国专利 :CN118299404A ,2024-07-05

[10]

半导体结构形成方法及半导体结构 [P].

卢仁祥 ;

蔡宗翰 ;

张世勳 .

中国专利 :CN110610989B ,2024-10-29

← 1 2 3 4 5 →