半导体结构以及形成半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910106363.6

申请日：

2019-02-02

公开(公告)号：

CN110610926B

公开(公告)日：

2019-12-24

发明(设计)人：

艾伦·罗斯艾力克·苏宁徐英智尼克·萨姆拉斯帝芬·鲁苏

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

H01L2150 H01L2156

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-24	公开	公开
2021-09-03	授权	授权
2020-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20190202

共 50 条

[1]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

拉塞尔·A·本森 .

中国专利 :CN101952963B ,2011-01-19

[2]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

蔡劲 ;

E·里欧班端 ;

李宁 ;

宁德雄 ;

J-O·普卢查特 ;

D·K·萨达纳 .

中国专利 :CN105990391B ,2016-10-05

[3]

形成半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

S·M·尚克 ;

J·A·特拉帕索 ;

Y·L·尼诺米亚 ;

J·马林 ;

J·克莱因 ;

D·丹格 ;

B·W·波思 ;

M·D·拉格奎斯特 .

中国专利 :CN1828842A ,2006-09-06

[4]

形成半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

斯蒂芬·W.·贝德尔 ;

安东尼·G.·多梅尼库奇 ;

基思·E.·弗格尔 ;

埃芬迪·莱奥班顿 ;

德温德拉·K.·萨达纳 .

中国专利 :CN1716576A ,2006-01-04

[5]

半导体结构以及形成半导体结构的方法 [P].

黄义钧 ;

陈奕志 ;

郭俊玮 .

中国专利 :CN112151497A ,2020-12-29

[6]

半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法 [P].

迪特尔·克拉埃斯 ;

贝恩德·埃塞内尔 ;

京特·普法伊费尔 ;

德特勒夫·威廉 .

中国专利 :CN103022017A ,2013-04-03

[7]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

陈龙阳 ;

武宏发 ;

吴公一 .

中国专利 :CN114420641B ,2024-06-07

[8]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

董鹏 .

中国专利 :CN111785613B ,2025-03-28

[9]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

吴保磊 ;

王晓光 .

中国专利 :CN114695355A ,2022-07-01

[10]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

陈龙阳 ;

武宏发 ;

吴公一 .

中国专利 :CN114420641A ,2022-04-29

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