半导体结构的形成方法以及半导体结构的形成装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410513649.3

申请日：

2014-09-29

公开(公告)号：

CN105529245A

公开(公告)日：

2016-04-27

发明(设计)人：

丁敬秀金滕滕

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	公开	公开
2016-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662095451 IPC(主分类):H01L 21/033 专利申请号:2014105136493 申请日:20140929
2020-01-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/033 申请公布日:20160427

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

陈龙阳 ;

武宏发 ;

吴公一 .

中国专利 :CN114420641B ,2024-06-07

[2]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

董鹏 .

中国专利 :CN111785613B ,2025-03-28

[3]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

吴保磊 ;

王晓光 .

中国专利 :CN114695355A ,2022-07-01

[4]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

陈龙阳 ;

武宏发 ;

吴公一 .

中国专利 :CN114420641A ,2022-04-29

[5]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

于有权 ;

吴公一 ;

张仕然 .

中国专利 :CN114284202B ,2025-01-10

[6]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

任佳 ;

陈卓凡 .

中国专利 :CN108206131B ,2018-06-26

[7]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

董鹏 .

中国专利 :CN111785613A ,2020-10-16

[8]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

赵波 .

中国专利 :CN106430078A ,2017-02-22

[9]

半导体结构的形成方法以及半导体结构 [P].

陈龙阳 ;

武宏发 ;

吴公一 .

中国专利 :CN114420642B ,2024-08-02

[10]

半导体结构以及半导体结构的形成方法 [P].

于有权 ;

吴公一 ;

张仕然 .

中国专利 :CN114284202A ,2022-04-05

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