半导体结构以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411645472.2

申请日：

2024-11-18

公开(公告)号：

CN119153539A

公开(公告)日：

2024-12-17

发明(设计)人：

刘浩文闫正坤马万里

申请人：

珠海格力电子元器件有限公司珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/423 H01L21/336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

崔雅茹

法律状态：

公开

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	公开	公开
2025-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20241118

共 50 条

[1]

半导体结构以及半导体器件 [P].

刘浩文 ;

马万里 ;

闫正坤 .

中国专利 :CN119153538A ,2024-12-17

[2]

半导体结构以及半导体器件 [P].

林鼎佑 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN209119092U ,2019-07-16

[3]

半导体结构以及半导体器件 [P].

林鼎佑 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN208835055U ,2019-05-07

[4]

半导体结构以及半导体器件 [P].

闫正坤 ;

马万里 ;

刘浩文 ;

蔡红卫 .

中国专利 :CN223571579U ,2025-11-21

[5]

半导体结构和半导体结构制造方法以及半导体器件 [P].

孙涛 ;

张帅 ;

冯家驹 .

中国专利 :CN118016698A ,2024-05-10

[6]

半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

刘军 .

中国专利 :CN111180383A ,2020-05-19

[7]

半导体结构、半导体器件以及形成半导体结构的方法 [P].

迪特尔·克拉埃斯 ;

贝恩德·埃塞内尔 ;

京特·普法伊费尔 ;

德特勒夫·威廉 .

中国专利 :CN103022017A ,2013-04-03

[8]

半导体结构、其版图以及半导体器件 [P].

汪配焕 .

中国专利 :CN115706110A ,2023-02-17

[9]

半导体结构、半导体结构的制作方法以及半导体器件 [P].

张鹏 ;

冯尹 .

中国专利 :CN117059673B ,2024-02-27

[10]

半导体结构的制作方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

席鑫 ;

苏康 ;

李亚民 ;

李国庆 ;

李南君 ;

郭建文 .

中国专利 :CN118398731B ,2024-11-19

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