具有双重栅极氧化物层的半导体组件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01110214.4

申请日：

2001-04-02

公开(公告)号：

CN1228817C

公开(公告)日：

2002-11-06

发明(设计)人：

谢文贵陈锡铨张荣和刘豪杰

申请人：

申请人地址：

台湾新竹科学工业园区研新三路四号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21336 H01L21324 H01L2182

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王学强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-11-06	公开	公开
2005-11-23	授权	授权
2021-04-23	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20010402 授权公告日:20051123

共 50 条

[1]

具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法 [P].

林宽容 ;

赵兴在 ;

朴大奎 ;

车泰昊 ;

吕寅硕 .

中国专利 :CN1423306A ,2003-06-11

[2]

氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

井坂史人 ;

佐藤优一 ;

大野敏和 ;

国武宽司 ;

村川努 .

日本专利 :CN119300428A ,2025-01-10

[3]

具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法 [P].

弗朗索瓦·赫伯特 ;

萨曼·阿赫桑 .

中国专利 :CN1722407A ,2006-01-18

[4]

具有栅极氧化物层处减小电场的半导体器件 [P].

Q.张 ;

B.哈尔 .

中国专利 :CN105103297A ,2015-11-25

[5]

具有栅极氧化物层的FINFET器件 [P].

李东颖 ;

黄玉莲 ;

张毅敏 .

中国专利 :CN105280706B ,2016-01-27

[6]

制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法 [P].

曾鸿辉 .

中国专利 :CN1366332A ,2002-08-28

[7]

氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、氧化物半导体层、半导体元件及电子装置 [P].

井上聪 ;

下田达也 ;

川北知纪 ;

藤本信贵 ;

西冈圣司 .

中国专利 :CN105474372A ,2016-04-06

[8]

氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置及氧化物层的制造方法和半导体元件的制造方法 [P].

下田达也 ;

井上聪 ;

深田和宏 ;

西冈圣司 ;

藤本信贵 ;

铃木正博 .

中国专利 :CN107004606A ,2017-08-01

[9]

制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法 [P].

梁元硕 ;

金奇南 ;

沈载勋 ;

李宰圭 .

中国专利 :CN1227719C ,1999-12-29

[10]

氧化物半导体层、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

井坂史人 ;

佐藤优一 ;

大野敏和 ;

国武宽司 ;

村川努 .

日本专利 :CN119300442A ,2025-01-10

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