制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01101277.3

申请日：

2001-01-17

公开(公告)号：

CN1366332A

公开(公告)日：

2002-08-28

发明(设计)人：

曾鸿辉

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-08-28	公开	公开
2004-11-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2001-05-16	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

平面金属氧化物半导体栅极半导体元件结构 [P].

黄智方 ;

胡家玮 .

中国专利 :CN119029031A ,2024-11-26

[2]

金属氧化物半导体元件的制造方法 [P].

王志铭 ;

廖琨垣 .

中国专利 :CN1357909A ,2002-07-10

[3]

高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

陈巨峰 ;

叶昱廷 .

中国专利 :CN109728069B ,2019-05-07

[4]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110660852A ,2020-01-07

[5]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

[6]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

陈建铨 ;

李明东 ;

连士进 .

中国专利 :CN103035710A ,2013-04-10

[7]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[8]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN101308814A ,2008-11-19

[9]

金属氧化物半导体元件 [P].

郑志男 .

中国专利 :CN101359687B ,2009-02-04

[10]

金属氧化物半导体器件栅极的制造方法 [P].

张海洋 ;

马擎天 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192525A ,2008-06-04

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