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平面金属氧化物半导体栅极半导体元件结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410641644.2
申请日：
2024-05-21
公开(公告)号：
CN119029031A
公开(公告)日：
2024-11-26
发明(设计)人：
黄智方
胡家玮
申请人：
黄智方
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
王天尧
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-26 | 公开 | 公开 |
| 2024-12-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240521 |