金属氧化物半导体元件和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710003352.2

申请日：

2007-02-02

公开(公告)号：

CN101087001A

公开(公告)日：

2007-12-12

发明(设计)人：

黄健朝杨富量

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-22	授权	授权
2008-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及金属氧化物半导体元件 [P].

蔡邦彥 .

中国专利 :CN101211964A ,2008-07-02

[2]

平面金属氧化物半导体栅极半导体元件结构 [P].

黄智方 ;

胡家玮 .

中国专利 :CN119029031A ,2024-11-26

[3]

金属氧化物半导体元件 [P].

郑志男 .

中国专利 :CN101359687B ,2009-02-04

[4]

高压金属氧化物半导体元件结构 [P].

陈锦隆 .

中国专利 :CN2845173Y ,2006-12-06

[5]

半导体结构及金属氧化物半导体元件的制作方法 [P].

葛崇祜 ;

李文钦 ;

胡正明 .

中国专利 :CN101068028A ,2007-11-07

[6]

高压金属氧化物半导体元件 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN1881613A ,2006-12-20

[7]

高压金属氧化物半导体元件 [P].

李治华 ;

陈铭逸 .

中国专利 :CN2842739Y ,2006-11-29

[8]

高压金属氧化物半导体元件 [P].

陈锦隆 .

中国专利 :CN1971879A ,2007-05-30

[9]

半导体结构和形成金属氧化物半导体结构的方法 [P].

格伦·A·比利 ;

米切尔·L·斯廷 .

中国专利 :CN100461463C ,2007-06-13

[10]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

中国专利 :CN112825334A ,2021-05-21

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