半导体结构及金属氧化物半导体元件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610128863.2

申请日：

2006-08-31

公开(公告)号：

CN101068028A

公开(公告)日：

2007-11-07

发明(设计)人：

葛崇祜李文钦胡正明

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

陈晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-11-07	公开	公开
2009-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及金属氧化物半导体元件 [P].

蔡邦彥 .

中国专利 :CN101211964A ,2008-07-02

[2]

金属氧化物半导体元件和半导体结构 [P].

黄健朝 ;

杨富量 .

中国专利 :CN101087001A ,2007-12-12

[3]

平面金属氧化物半导体栅极半导体元件结构 [P].

黄智方 ;

胡家玮 .

中国专利 :CN119029031A ,2024-11-26

[4]

金属氧化物半导体元件 [P].

郑志男 .

中国专利 :CN101359687B ,2009-02-04

[5]

高压金属氧化物半导体元件与制作方法 [P].

黄宗义 ;

朱焕平 ;

杨清尧 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN102148248A ,2011-08-10

[6]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

中国专利 :CN112825334A ,2021-05-21

[7]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

韩国专利 :CN112825334B ,2025-07-11

[8]

高压金属氧化物半导体元件结构 [P].

陈锦隆 .

中国专利 :CN2845173Y ,2006-12-06

[9]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[10]

沟道式金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN101807546A ,2010-08-18

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