沟道式金属氧化物半导体元件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910007232.9

申请日：

2009-02-13

公开(公告)号：

CN101807546A

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

许修文

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北县

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088 H01L29423 H01L2992 H01L2978

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

梁挥;祁建国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006687702 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2009100072329 申请日:20090213
2021-01-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20090213 授权公告日:20130417 终止日期:20200213
2010-08-18	公开	公开
2013-04-17	授权	授权

共 50 条

[1]

高压金属氧化物半导体元件与制作方法 [P].

黄宗义 ;

朱焕平 ;

杨清尧 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN102148248A ,2011-08-10

[2]

金属氧化物半导体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103137479B ,2013-06-05

[3]

半导体结构及金属氧化物半导体元件的制作方法 [P].

葛崇祜 ;

李文钦 ;

胡正明 .

中国专利 :CN101068028A ,2007-11-07

[4]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[5]

金属氧化物半导体元件 [P].

郑志男 .

中国专利 :CN101359687B ,2009-02-04

[6]

高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

陈巨峰 ;

叶昱廷 .

中国专利 :CN109728069B ,2019-05-07

[7]

金属氧化物半导体元件和半导体结构 [P].

黄健朝 ;

杨富量 .

中国专利 :CN101087001A ,2007-12-12

[8]

半导体结构及金属氧化物半导体元件 [P].

蔡邦彥 .

中国专利 :CN101211964A ,2008-07-02

[9]

金属氧化物半导体组件及其制作方法 [P].

薛福隆 ;

赵治平 ;

周淳朴 ;

彭永州 ;

庄学理 ;

宋国栋 .

中国专利 :CN102194815A ,2011-09-21

[10]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

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