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高压金属氧化物半导体元件与制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010113197.1
申请日：
2010-02-04
公开(公告)号：
CN102148248A
公开(公告)日：
2011-08-10
发明(设计)人：
黄宗义
朱焕平
杨清尧
苏宏德
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹县竹北市
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
陈肖梅;谢丽娜
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2011-08-10 | 公开 | 公开 |
| 2011-09-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101110108907 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101131971 申请日:20100204 |
| 2013-07-31 | 授权 | 授权 |