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高压金属氧化物半导体元件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200510022960.9
申请日：
2005-12-19
公开(公告)号：
CN1881613A
公开(公告)日：
2006-12-20
发明(设计)人：
高境鸿
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
陶凤波;侯宇
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2007-02-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2008-08-20 | 授权 | 授权 |
| 2006-12-20 | 公开 | 公开 |