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高压金属氧化物半导体元件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711070043.7
申请日：
2017-11-03
公开(公告)号：
CN109755170B
公开(公告)日：
2019-05-14
发明(设计)人：
黄宗义
陈巨峰
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹县竹北市
IPC主分类号：
H01L2176
IPC分类号：
H01L218234
H01L2704
H01L2978
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
李兰;孙志湧
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-05-14 | 公开 | 公开 |
| 2020-10-30 | 授权 | 授权 |
| 2019-06-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/76 申请日:20171103 |