金属氧化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710102583.9

申请日：

2007-05-16

公开(公告)号：

CN101308814A

公开(公告)日：

2008-11-19

发明(设计)人：

高境鸿

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L27146

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-19	公开	公开
2009-12-16	授权	授权
2009-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110660852A ,2020-01-07

[2]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

[3]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

陈建铨 ;

李明东 ;

连士进 .

中国专利 :CN103035710A ,2013-04-10

[4]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[5]

高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

陈巨峰 ;

叶昱廷 .

中国专利 :CN109728069B ,2019-05-07

[6]

高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

李治华 ;

陈铭逸 .

中国专利 :CN100454578C ,2007-05-02

[7]

高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

陈巨峰 .

中国专利 :CN108962988A ,2018-12-07

[8]

高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

陈巨峰 .

中国专利 :CN109755170B ,2019-05-14

[9]

高压金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

陈巨峰 .

中国专利 :CN109037305B ,2018-12-18

[10]

金属氧化物半导体元件的制造方法 [P].

王志铭 ;

廖琨垣 .

中国专利 :CN1357909A ,2002-07-10

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