金属氧化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810083168.8

申请日：

2008-03-07

公开(公告)号：

CN101527313B

公开(公告)日：

2009-09-09

发明(设计)人：

郭东政陈逸琳

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学园区

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2994 H01L2360 H01L2102

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-03-21	授权	授权
2009-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[2]

沟槽型金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

刘冠伶 ;

翁士元 .

中国专利 :CN102956639A ,2013-03-06

[3]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

杨清尧 ;

黄宗义 ;

朱焕平 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN102623497B ,2012-08-01

[4]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

高字成 ;

李建兴 ;

苏金炼 ;

朱焕平 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN103824882A ,2014-05-28

[5]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

杨清尧 ;

黄宗义 ;

朱焕平 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN103646964B ,2014-03-19

[6]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110660852A ,2020-01-07

[7]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

陈建铨 ;

李明东 ;

连士进 .

中国专利 :CN103035710A ,2013-04-10

[8]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN101308814A ,2008-11-19

[9]

超高电压N型金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

陈建志 ;

林正基 ;

林镇元 ;

连士进 ;

吴锡垣 .

中国专利 :CN102738230A ,2012-10-17

[10]

双扩散漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

黄建豪 .

中国专利 :CN103515431B ,2014-01-15

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