双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310574182.9

申请日：

2011-03-10

公开(公告)号：

CN103646964B

公开(公告)日：

2014-03-19

发明(设计)人：

杨清尧黄宗义朱焕平苏宏德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县竹北市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陈肖梅;谢丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581480718 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013105741829 申请日:20110310
2016-04-20	授权	授权
2014-03-19	公开	公开

共 50 条

[1]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

杨清尧 ;

黄宗义 ;

朱焕平 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN102623497B ,2012-08-01

[2]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

高字成 ;

李建兴 ;

苏金炼 ;

朱焕平 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN103824882A ,2014-05-28

[3]

双扩散漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

黄建豪 .

中国专利 :CN103515431B ,2014-01-15

[4]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

陈巨峰 .

中国专利 :CN107871782B ,2018-04-03

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

杨清尧 ;

廖文毅 ;

苏宏德 ;

张国城 .

中国专利 :CN104659094A ,2015-05-27

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN106486546B ,2017-03-08

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN103474462A ,2013-12-25

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN106469755A ,2017-03-01

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110504318A ,2019-11-26

[10]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

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