横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510546161.5

申请日：

2015-08-31

公开(公告)号：

CN106486546B

公开(公告)日：

2017-03-08

发明(设计)人：

黄宗义

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县竹北市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

张一军;姜劲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-08	公开	公开
2019-07-26	授权	授权
2017-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101710768164 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015105461615 申请日:20150831

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

杨清尧 ;

廖文毅 ;

苏宏德 ;

张国城 .

中国专利 :CN104659094A ,2015-05-27

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN103474462A ,2013-12-25

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN106469755A ,2017-03-01

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110504318A ,2019-11-26

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN101847659A ,2010-09-29

[6]

射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298536B ,2017-01-04

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

张睿钧 ;

杜尚晖 .

中国专利 :CN104576729B ,2015-04-29

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

张睿钧 .

中国专利 :CN109638065A ,2019-04-16

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

张睿钧 .

中国专利 :CN104518022A ,2015-04-15

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS元件及其加工方法 [P].

刘慕义 ;

许嘉伦 ;

杨怡箴 ;

陈冠博 ;

卢道政 .

中国专利 :CN100524820C ,2006-01-25

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