横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310456066.7

申请日：

2013-09-27

公开(公告)号：

CN104518022A

公开(公告)日：

2015-04-15

发明(设计)人：

李琮雄张睿钧

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

任默闻

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-15	公开	公开
2015-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609208798 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013104560667 申请日:20130927
2019-05-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150415

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

张睿钧 ;

杜尚晖 .

中国专利 :CN104576729B ,2015-04-29

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

李琮雄 ;

张睿钧 .

中国专利 :CN109638065A ,2019-04-16

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN101847659A ,2010-09-29

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

杨清尧 ;

廖文毅 ;

苏宏德 ;

张国城 .

中国专利 :CN104659094A ,2015-05-27

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN106486546B ,2017-03-08

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN103474462A ,2013-12-25

[7]

射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298536B ,2017-01-04

[8]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN106469755A ,2017-03-01

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110504318A ,2019-11-26

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件 [P].

I·C·马约尔 ;

A·扎卡 ;

T·赫尔曼 ;

E·M·巴齐齐 .

中国专利 :CN109817714B ,2019-05-28

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