超高电压N型金属氧化物半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110081712.7

申请日：

2011-03-29

公开(公告)号：

CN102738230A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

陈建志林正基林镇元连士进吴锡垣

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-17	公开	公开
2012-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件序号:101363526682 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011100817127 申请日:20110329 号牌文件类型代码:1604
2015-08-19	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

[2]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[3]

沟槽型金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

刘冠伶 ;

翁士元 .

中国专利 :CN102956639A ,2013-03-06

[4]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

杨清尧 ;

黄宗义 ;

朱焕平 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN102623497B ,2012-08-01

[5]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

高字成 ;

李建兴 ;

苏金炼 ;

朱焕平 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN103824882A ,2014-05-28

[6]

双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

杨清尧 ;

黄宗义 ;

朱焕平 ;

苏宏德 .

中国专利 :CN103646964B ,2014-03-19

[7]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110660852A ,2020-01-07

[8]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

陈建铨 ;

李明东 ;

连士进 .

中国专利 :CN103035710A ,2013-04-10

[9]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN101308814A ,2008-11-19

[10]

双扩散漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 ;

黄建豪 .

中国专利 :CN103515431B ,2014-01-15

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