金属氧化物半导体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110377708.5

申请日：

2011-11-24

公开(公告)号：

CN103137479B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L2908

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	授权	授权
2013-06-05	公开	公开
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486729700 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103777085 申请日:20111124

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体管的制作方法 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN102569085A ,2012-07-11

[2]

P型金属氧化物半导体管的制作方法 [P].

张子莹 .

中国专利 :CN102543741B ,2012-07-04

[3]

金属氧化物半导体晶体管的制作方法 [P].

詹奕鹏 ;

张超 ;

周儒领 ;

张庆勇 .

中国专利 :CN105870021A ,2016-08-17

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110049A ,2018-06-01

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054204A ,2018-05-18

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110050A ,2018-06-01

[7]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[8]

一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298926A ,2017-01-04

[9]

高压N型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1988176A ,2007-06-27

[10]

高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1976057A ,2007-06-06

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