P型金属氧化物半导体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010603101.X

申请日：

2010-12-23

公开(公告)号：

CN102543741B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

张子莹

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	授权	授权
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322510410 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201010603101X 申请日:20101223
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487565476 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201010603101X 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121116
2012-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体管的制作方法 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN102569085A ,2012-07-11

[2]

高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN2938408Y ,2007-08-22

[3]

金属氧化物半导体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103137479B ,2013-06-05

[4]

金属氧化物半导体晶体管的制作方法 [P].

詹奕鹏 ;

张超 ;

周儒领 ;

张庆勇 .

中国专利 :CN105870021A ,2016-08-17

[5]

沟槽高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

刘侠 ;

戈喆 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN201038163Y ,2008-03-19

[6]

高压N型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN200941387Y ,2007-08-29

[7]

高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

贾侃 ;

吴虹 ;

钱钦松 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101488523A ,2009-07-22

[8]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[9]

双栅高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

刘昊 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1527401A ,2004-09-08

[10]

横向缓冲P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

易扬波 ;

孙智林 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1212674C ,2003-06-18

← 1 2 3 4 5 →