横向缓冲P型金属氧化物半导体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03112627.8

申请日：

2003-01-08

公开(公告)号：

CN1212674C

公开(公告)日：

2003-06-18

发明(设计)人：

孙伟锋陆生礼易扬波孙智林时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

王之梓

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101705822907 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL031126278 申请日:20030108 授权公告日:20050727 终止日期:20160108
2003-06-18	公开	公开
2003-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-09-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101705132407 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL031126278 变更事项:专利权人变更前权利人:东南大学变更后权利人:南通超力卷板机制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:210096 江苏省南京市四牌楼2号变更后权利人:226600 江苏省南通市海安县李堡镇工业园区变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:东南大学登记生效日:20140820
2005-07-27	授权	授权

共 50 条

[1]

高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN2938408Y ,2007-08-22

[2]

内置保护P型高压金属氧化物半导体管 [P].

时龙兴 ;

孙伟锋 ;

易扬波 ;

陆生礼 .

中国专利 :CN1212673C ,2003-06-18

[3]

高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

宋慧滨 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1234174C ,2004-04-07

[4]

沟槽高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

刘侠 ;

戈喆 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN201038163Y ,2008-03-19

[5]

高压N型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN200941387Y ,2007-08-29

[6]

内置保护N型高压金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

宋慧滨 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1424769A ,2003-06-18

[7]

一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

黄宇 ;

王永平 ;

张春伟 ;

戴佼容 ;

刘斯扬 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN103311303B ,2013-09-18

[8]

双栅高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

刘昊 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1527401A ,2004-09-08

[9]

高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1487595A ,2004-04-07

[10]

高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1976057A ,2007-06-06

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