高压P型金属氧化物半导体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02138393.6

申请日：

2002-09-30

公开(公告)号：

CN1234174C

公开(公告)日：

2004-04-07

发明(设计)人：

孙伟锋宋慧滨陆生礼时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

王之梓

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702818617 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL021383936 变更事项:专利权人变更前权利人:东南大学变更后权利人:江苏奎泽机械工业有限公司变更事项:地址变更前权利人:210096 江苏省南京市四牌楼2号变更后权利人:226600 江苏省南通市海安县曲塘镇胡庄村22组变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:东南大学登记生效日:20140623
2004-04-07	公开	公开
2005-12-28	授权	授权
2020-09-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20020930 授权公告日:20051228 终止日期:20190930
2004-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN2938408Y ,2007-08-22

[2]

内置保护P型高压金属氧化物半导体管 [P].

时龙兴 ;

孙伟锋 ;

易扬波 ;

陆生礼 .

中国专利 :CN1212673C ,2003-06-18

[3]

沟槽高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

刘侠 ;

戈喆 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN201038163Y ,2008-03-19

[4]

双栅高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

刘昊 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1527401A ,2004-09-08

[5]

横向缓冲P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

易扬波 ;

孙智林 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1212674C ,2003-06-18

[6]

高压N型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN200941387Y ,2007-08-29

[7]

内置保护N型高压金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

宋慧滨 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1424769A ,2003-06-18

[8]

高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1487595A ,2004-04-07

[9]

厚栅高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

李海松 ;

李杰 ;

易扬波 ;

徐申 ;

夏晓娟 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN200997402Y ,2007-12-26

[10]

高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1976057A ,2007-06-06

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