一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201510303482.2
申请日
2015-06-05
公开(公告)号
CN106298926A
公开(公告)日
2017-01-04
发明(设计)人
马万里 闻正锋 赵文魁
申请人
申请人地址
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906 H01L21336
代理机构
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
代理人
黄志华
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
垂直双扩散金属-氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
丛艳欣 ;
李亚娜 ;
王海韵 ;
储团结 .
中国专利 :CN108336131A ,2018-07-27
[2]
垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN103377929B ,2013-10-30
[3]
垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法和应用 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN113054030A ,2021-06-29
[4]
垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108155239A ,2018-06-12
[5]
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
纪刚 ;
顾建平 .
中国专利 :CN103390645A ,2013-11-13
[6]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及制备方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN113035936B ,2021-06-25
[7]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054210A ,2018-05-18
[8]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108039372B ,2018-05-15
[9]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108133894B ,2018-06-08
[10]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108110045A ,2018-06-01