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沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711397571.3
申请日：
2017-12-21
公开(公告)号：
CN108039372B
公开(公告)日：
2018-05-15
发明(设计)人：
不公告发明人
申请人：
申请人地址：
201400 上海市奉贤区茂园路659号329室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
H01L29423
H01L2949
代理机构：
北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588
代理人：
国红
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-06-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171221 |
| 2021-12-07 | 授权 | 授权 |
| 2021-11-30 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20211118 变更事项:申请人 变更前权利人:深圳迈辽技术转移中心有限公司 变更后权利人:上海领矽半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:518000 广东省深圳市龙华新区大浪街道龙胜社区腾龙路淘金地电子商务孵化基地展滔商业广场E座706 变更后权利人:201400 上海市奉贤区茂园路659号329室 |
| 2018-05-15 | 公开 | 公开 |