平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711367202.X

申请日：

2017-12-18

公开(公告)号：

CN108110045A

公开(公告)日：

2018-06-01

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419

代理人：

曹明兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20171218
2021-10-26	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20180601
2018-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107946363A ,2018-04-20

[2]

垂直双扩散金属-氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

丛艳欣 ;

李亚娜 ;

王海韵 ;

储团结 .

中国专利 :CN108336131A ,2018-07-27

[3]

垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108155239A ,2018-06-12

[4]

平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108109920A ,2018-06-01

[5]

平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108010848A ,2018-05-08

[6]

沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054210A ,2018-05-18

[7]

沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108039372B ,2018-05-15

[8]

沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108133894B ,2018-06-08

[9]

沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054211A ,2018-05-18

[10]

一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298926A ,2017-01-04

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