垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711396268.1
申请日
2017-12-21
公开(公告)号
CN108155239A
公开(公告)日
2018-06-12
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419
代理人
曹明兰
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054210A ,2018-05-18
[2]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108039372B ,2018-05-15
[3]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108133894B ,2018-06-08
[4]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054211A ,2018-05-18
[5]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107946363A ,2018-04-20
[6]
垂直双扩散金属-氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
丛艳欣 ;
李亚娜 ;
王海韵 ;
储团结 .
中国专利 :CN108336131A ,2018-07-27
[7]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108110045A ,2018-06-01
[8]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108010848A ,2018-05-08
[9]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108109920A ,2018-06-01
[10]
一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
马万里 ;
闻正锋 ;
赵文魁 .
中国专利 :CN106298926A ,2017-01-04