沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201711394835.X
申请日
2017-12-21
公开(公告)号
CN108133894B
公开(公告)日
2018-06-08
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
643000 四川省自贡市沿滩区高新工业园区板仓路219号1号厂房B栋1-15陈列室
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978
代理机构
深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525
代理人
赵爱婷
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054210A ,2018-05-18
[2]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108039372B ,2018-05-15
[3]
沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054211A ,2018-05-18
[4]
垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108155239A ,2018-06-12
[5]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107946363A ,2018-04-20
[6]
垂直双扩散金属-氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
丛艳欣 ;
李亚娜 ;
王海韵 ;
储团结 .
中国专利 :CN108336131A ,2018-07-27
[7]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108110045A ,2018-06-01
[8]
耗尽型双扩散金属氧化物晶体管制作方法 [P]. 
蔡远飞 ;
何昌 ;
姜春亮 .
中国专利 :CN104835736A ,2015-08-12
[9]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108109920A ,2018-06-01
[10]
平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108010848A ,2018-05-08