金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711364966.3

申请日：

2017-12-18

公开(公告)号：

CN108110050A

公开(公告)日：

2018-06-01

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2910 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419

代理人：

曹明兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	公开	公开
2021-08-17	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/423 登记生效日:20210804 变更事项:申请人变更前权利人:深圳市晶特智造科技有限公司变更后权利人:深圳市点金贵金属精炼有限公司变更事项:地址变更前权利人:518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼变更后权利人:518000 广东省深圳市宝安区西乡街道福中福社区西乡金海路碧海中心区西乡商会大厦605
2021-08-27	授权	授权
2018-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20171218

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110049A ,2018-06-01

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054204A ,2018-05-18

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

陈能国 ;

黄建中 .

中国专利 :CN101320711A ,2008-12-10

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

黄凯易 ;

叶达勋 ;

简育生 .

中国专利 :CN101521226A ,2009-09-02

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

李坤宪 ;

黄正同 ;

洪文瀚 ;

丁世汎 ;

郑礼贤 ;

郑子铭 ;

陈能国 ;

许绍达 ;

蔡腾群 ;

黄建中 .

中国专利 :CN101179028B ,2008-05-14

[6]

垂直金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

洪庆文 .

中国专利 :CN109494151A ,2019-03-19

[7]

金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制作方法 [P].

权勇·林 ;

斯坦利·升澈·松 ;

阿米塔比·贾殷 .

中国专利 :CN103872132A ,2014-06-18

[8]

金属氧化物半导体晶体管的制作方法 [P].

詹奕鹏 ;

张超 ;

周儒领 ;

张庆勇 .

中国专利 :CN105870021A ,2016-08-17

[9]

垂直双扩散金属-氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

丛艳欣 ;

李亚娜 ;

王海韵 ;

储团结 .

中国专利 :CN108336131A ,2018-07-27

[10]

N型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

邱淳雅 ;

傅思逸 ;

陈金宏 ;

邱劲砚 ;

蔡纬撰 ;

林毓翔 .

中国专利 :CN117712162A ,2024-03-15

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