金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710108879.1

申请日：

2007-06-05

公开(公告)号：

CN101320711A

公开(公告)日：

2008-12-10

发明(设计)人：

陈能国黄建中

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L218238 H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-17	授权	授权
2008-12-10	公开	公开
2009-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110049A ,2018-06-01

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

黄凯易 ;

叶达勋 ;

简育生 .

中国专利 :CN101521226A ,2009-09-02

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

李坤宪 ;

黄正同 ;

洪文瀚 ;

丁世汎 ;

郑礼贤 ;

郑子铭 ;

陈能国 ;

许绍达 ;

蔡腾群 ;

黄建中 .

中国专利 :CN101179028B ,2008-05-14

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054204A ,2018-05-18

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110050A ,2018-06-01

[6]

垂直金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

洪庆文 .

中国专利 :CN109494151A ,2019-03-19

[7]

金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制作方法 [P].

权勇·林 ;

斯坦利·升澈·松 ;

阿米塔比·贾殷 .

中国专利 :CN103872132A ,2014-06-18

[8]

N型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

邱淳雅 ;

傅思逸 ;

陈金宏 ;

邱劲砚 ;

蔡纬撰 ;

林毓翔 .

中国专利 :CN117712162A ,2024-03-15

[9]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[10]

横向扩散型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

桂林春 ;

王乐 ;

林奕琼 .

中国专利 :CN102263029A ,2011-11-30

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