金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610143398.X

申请日：

2006-11-08

公开(公告)号：

CN101179028B

公开(公告)日：

2008-05-14

发明(设计)人：

李坤宪黄正同洪文瀚丁世汎郑礼贤郑子铭陈能国许绍达蔡腾群黄建中

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-13	授权	授权
2008-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

N型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

邱淳雅 ;

傅思逸 ;

陈金宏 ;

邱劲砚 ;

蔡纬撰 ;

林毓翔 .

中国专利 :CN117712162A ,2024-03-15

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

陈能国 ;

黄建中 .

中国专利 :CN101320711A ,2008-12-10

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110049A ,2018-06-01

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

黄凯易 ;

叶达勋 ;

简育生 .

中国专利 :CN101521226A ,2009-09-02

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054204A ,2018-05-18

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110050A ,2018-06-01

[7]

垂直金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

洪庆文 .

中国专利 :CN109494151A ,2019-03-19

[8]

金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制作方法 [P].

权勇·林 ;

斯坦利·升澈·松 ;

阿米塔比·贾殷 .

中国专利 :CN103872132A ,2014-06-18

[9]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[10]

复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

黄慧玲 ;

陈明新 ;

李年中 ;

陈立勋 ;

戴炘 .

中国专利 :CN101281871B ,2008-10-08

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