半导体结构及金属氧化物半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710136601.5

申请日：

2007-07-13

公开(公告)号：

CN101211964A

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

蔡邦彥

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2938

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

陈晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	公开	公开
2009-09-09	授权	授权
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体元件和半导体结构 [P].

黄健朝 ;

杨富量 .

中国专利 :CN101087001A ,2007-12-12

[2]

平面金属氧化物半导体栅极半导体元件结构 [P].

黄智方 ;

胡家玮 .

中国专利 :CN119029031A ,2024-11-26

[3]

金属氧化物半导体元件 [P].

郑志男 .

中国专利 :CN101359687B ,2009-02-04

[4]

半导体结构及金属氧化物半导体元件的制作方法 [P].

葛崇祜 ;

李文钦 ;

胡正明 .

中国专利 :CN101068028A ,2007-11-07

[5]

高压金属氧化物半导体元件结构 [P].

陈锦隆 .

中国专利 :CN2845173Y ,2006-12-06

[6]

高压金属氧化物半导体元件 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN1881613A ,2006-12-20

[7]

高压金属氧化物半导体元件 [P].

李治华 ;

陈铭逸 .

中国专利 :CN2842739Y ,2006-11-29

[8]

高压金属氧化物半导体元件 [P].

陈锦隆 .

中国专利 :CN1971879A ,2007-05-30

[9]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

中国专利 :CN112825334A ,2021-05-21

[10]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

韩国专利 :CN112825334B ,2025-07-11

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