具有分离栅极的双栅极半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380102759.0

申请日：

2003-10-14

公开(公告)号：

CN1711644A

公开(公告)日：

2005-12-21

发明(设计)人：

S·S·艾哈迈德 H·王 B·俞

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊;程伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-04	授权	授权
2005-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

双栅极功率半导体装置和控制双栅极功率半导体装置的方法 [P].

R·巴伯斯克 ;

F·普菲尔施 ;

J·汉塞尔 .

德国专利 :CN121057238A ,2025-12-02

[2]

具有双栅极半导体器件的制造方法 [P].

尹康植 ;

朴洪培 ;

金钟采 .

中国专利 :CN1096114C ,1998-07-01

[3]

双栅极半导体的制造方法 [P].

叶震南 ;

梁孟松 ;

陈嘉仁 ;

邱远鸿 .

中国专利 :CN100578757C ,2008-08-20

[4]

具有栅极结构的半导体装置 [P].

崔珉豪 ;

李基硕 ;

尹灿植 ;

朴哲权 ;

崔宰福 .

韩国专利 :CN118540941A ,2024-08-23

[5]

具有栅极沟槽的半导体装置 [P].

藤本稔泰 .

中国专利 :CN115020484A ,2022-09-06

[6]

形成半导体器件的双栅极的方法 [P].

金奎显 ;

崔根敏 ;

崔伯一 ;

金东柱 ;

韩智惠 .

中国专利 :CN100505217C ,2007-07-25

[7]

具有双栅极的诊断 [P].

W·勒斯勒尔 .

中国专利 :CN114765457A ,2022-07-19

[8]

包括双栅极结构的半导体装置及形成此类半导体装置的方法 [P].

杰德布·戈斯瓦米 .

中国专利 :CN102272906B ,2011-12-07

[9]

用于功率应用的双栅极半导体结构 [P].

E·里斯 ;

A·沙赫韦尔迪 ;

N·克莱默 .

美国专利 :CN118352388A ,2024-07-16

[10]

半导体装置的栅极结构 [P].

萨恩迪普·巴尔 ;

U·拉达克里希纳 ;

徐昌秀 .

美国专利 :CN119698024A ,2025-03-25

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