半导体装置的栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411508738.9

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN119698024A

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

萨恩迪普·巴尔 U·拉达克里希纳徐昌秀

申请人：

德州仪器公司

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D64/64 H10D30/01

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

公开

国省代码：

山东省德州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

形成半导体装置的栅极电极的方法、半导体装置用的栅极电极结构及相符的半导体装置结构 [P].

R·严 ;

J·亨治尔 ;

A·扎 ;

N·萨赛特 ;

M·特伦茨施 ;

C·格拉斯 .

中国专利 :CN104078341A ,2014-10-01

[2]

半导体栅极结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208674126U ,2019-03-29

[3]

具有栅极结构的半导体装置 [P].

崔珉豪 ;

李基硕 ;

尹灿植 ;

朴哲权 ;

崔宰福 .

韩国专利 :CN118540941A ,2024-08-23

[4]

栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置 [P].

朴台镇 ;

李将银 ;

金熙中 .

中国专利 :CN115548104A ,2022-12-30

[5]

栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置 [P].

卢孝贞 ;

柳成男 ;

李炳训 ;

李将银 ;

丁乙芝 .

韩国专利 :CN118398655A ,2024-07-26

[6]

半导体装置、半导体装置的栅极结构及其制造方法 [P].

廖政华 .

中国专利 :CN103681803A ,2014-03-26

[7]

半导体装置的栅极结构、半导体装置及其制造方法 [P].

韦国樑 ;

李鸿志 .

中国专利 :CN102339740B ,2012-02-01

[8]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[9]

包括双栅极结构的半导体装置及形成此类半导体装置的方法 [P].

杰德布·戈斯瓦米 .

中国专利 :CN102272906B ,2011-12-07

[10]

具有栅极沟槽的半导体装置 [P].

藤本稔泰 .

中国专利 :CN115020484A ,2022-09-06

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