半导体栅极结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821685913.1

申请日：

2018-10-17

公开(公告)号：

CN208674126U

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

肖冰滨;刘兵

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[2]

半导体结构/栅极结构制备方法、半导体结构及栅极结构 [P].

张冲 .

中国专利 :CN117766380A ,2024-03-26

[3]

屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN113889536B ,2025-01-24

[4]

屏蔽栅极沟槽半导体结构与屏蔽栅极沟槽半导体器件 [P].

刘坚 .

中国专利 :CN113889536A ,2022-01-04

[5]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[6]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

刘攀 ;

郭亮 ;

吴贤勇 ;

游国忠 .

中国专利 :CN119008396A ,2024-11-22

[7]

半导体器件栅极的制作方法 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101770944A ,2010-07-07

[8]

用于半导体器件的栅极结构 [P].

巫凯雄 ;

简珮珊 ;

李泳达 ;

杨建勋 .

中国专利 :CN103177951A ,2013-06-26

[9]

栅极半导体结构 [P].

蔡镇宇 .

中国专利 :CN118231454A ,2024-06-21

[10]

半导体栅极结构 [P].

高玮 .

中国专利 :CN209401624U ,2019-09-17

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