用于半导体器件的栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210074982.X

申请日：

2012-03-20

公开(公告)号：

CN103177951A

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

巫凯雄简珮珊李泳达杨建勋

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283 H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;房岭梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-12	授权	授权
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101497330294 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:201210074982X 申请日:20120320
2013-06-26	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[2]

半导体器件及用于形成栅极结构的方法 [P].

B·H·恩格尔 ;

S·M·卢卡里尼 ;

J·D·西尔韦斯特里 ;

王允愈 .

中国专利 :CN1790740B ,2006-06-21

[3]

栅极及半导体器件的制造方法、用于制造栅极的结构 [P].

朱峰 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101364537A ,2009-02-11

[4]

用于半导体器件的栅极结构 [P].

李宗霖 ;

袁锋 ;

叶致锴 ;

赖韦仁 .

中国专利 :CN103296086B ,2013-09-11

[5]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[6]

栅极半导体器件的替换 [P].

李达元 ;

许光源 .

中国专利 :CN103021949B ,2013-04-03

[7]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[8]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[9]

绝缘栅极半导体器件 [P].

河野宪司 ;

都筑幸夫 .

中国专利 :CN102148239B ,2011-08-10

[10]

半导体栅极结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208674126U ,2019-03-29

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