栅极半导体器件的替换

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210133099.3

申请日：

2012-04-28

公开(公告)号：

CN103021949B

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

李达元许光源

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128 H01L27092 H01L2949

代理机构：

北京德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;房岭梅

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	授权	授权
2013-04-03	公开	公开
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448952030 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2012101330993 申请日:20120428

共 50 条

[1]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[2]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[3]

绝缘栅极半导体器件 [P].

河野宪司 ;

都筑幸夫 .

中国专利 :CN102148239B ,2011-08-10

[4]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[5]

用于半导体器件的栅极结构 [P].

巫凯雄 ;

简珮珊 ;

李泳达 ;

杨建勋 .

中国专利 :CN103177951A ,2013-06-26

[6]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

张海洋 ;

刘乒 .

中国专利 :CN100561671C ,2008-03-12

[7]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

张海洋 .

中国专利 :CN100517577C ,2008-04-02

[8]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

张海洋 ;

杜珊珊 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101192524A ,2008-06-04

[9]

形成半导体器件栅极的方法 [P].

金守镇 .

中国专利 :CN101211770A ,2008-07-02

[10]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

张海洋 .

中国专利 :CN100517575C ,2008-03-12

← 1 2 3 4 5 →