半导体器件及用于形成栅极结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510115145.7

申请日：

2005-11-10

公开(公告)号：

CN1790740B

公开(公告)日：

2006-06-21

发明(设计)人：

B·H·恩格尔 S·M·卢卡里尼 J·D·西尔韦斯特里王允愈

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

于静;李峥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-11-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20051110 授权公告日:20120725 终止日期:20181110
2012-07-25	授权	授权
2006-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[2]

形成半导体器件栅极的方法 [P].

金守镇 .

中国专利 :CN101211770A ,2008-07-02

[3]

栅极的形成方法及半导体器件 [P].

王文博 .

中国专利 :CN105448688A ,2016-03-30

[4]

半导体器件及形成其栅极的方法 [P].

吴泷虎 .

中国专利 :CN101325158B ,2008-12-17

[5]

用于半导体器件的栅极结构 [P].

巫凯雄 ;

简珮珊 ;

李泳达 ;

杨建勋 .

中国专利 :CN103177951A ,2013-06-26

[6]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101207026A ,2008-06-25

[7]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

马擎天 ;

魏莹璐 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101207027B ,2008-06-25

[8]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101355029B ,2009-01-28

[9]

栅极及半导体器件的制造方法、用于制造栅极的结构 [P].

朱峰 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101364537A ,2009-02-11

[10]

形成半导体器件的方法及半导体结构 [P].

张邦圣 ;

王朝勋 ;

赵高毅 ;

杨复凯 ;

王美匀 ;

吴历杰 ;

徐俊伟 .

中国专利 :CN113284843A ,2021-08-20

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