半导体器件及形成其栅极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810110697.2

申请日：

2008-06-13

公开(公告)号：

CN101325158B

公开(公告)日：

2008-12-17

发明(设计)人：

吴泷虎

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L21822 H01L2978 H01L29423 H01L2951 H01L2704

代理机构：

北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134

代理人：

宋子良;方抗美

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	授权	授权
2013-07-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101502157074 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2008101106972 申请日:20080613 授权公告日:20100616 终止日期:20120613
2008-12-17	公开	公开
2009-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

栅极的形成方法及半导体器件 [P].

王文博 .

中国专利 :CN105448688A ,2016-03-30

[2]

形成半导体器件栅极的方法 [P].

金守镇 .

中国专利 :CN101211770A ,2008-07-02

[3]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[5]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101207026A ,2008-06-25

[6]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

马擎天 ;

魏莹璐 ;

张海洋 .

中国专利 :CN101207027B ,2008-06-25

[7]

半导体器件的栅极形成方法 [P].

毛刚 ;

王家佳 .

中国专利 :CN101355029B ,2009-01-28

[8]

半导体器件及其金属栅极的形成方法 [P].

林静 ;

蔡国辉 .

中国专利 :CN109935518B ,2019-06-25

[9]

半导体器件及用于形成栅极结构的方法 [P].

B·H·恩格尔 ;

S·M·卢卡里尼 ;

J·D·西尔韦斯特里 ;

王允愈 .

中国专利 :CN1790740B ,2006-06-21

[10]

形成半导体器件的双栅极的方法 [P].

金奎显 ;

崔根敏 ;

崔伯一 ;

金东柱 ;

韩智惠 .

中国专利 :CN100505217C ,2007-07-25

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