制作双栅极结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02106074.6

申请日：

2002-04-10

公开(公告)号：

CN1191611C

公开(公告)日：

2003-10-22

发明(设计)人：

陈胜雄蔡明兴

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-10-22	公开	公开
2002-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-03-02	授权	授权

共 50 条

[1]

双栅极TFT基板的制作方法及其结构 [P].

李文辉 .

中国专利 :CN104952880A ,2015-09-30

[2]

双栅极器件以及双栅极器件的制造方法 [P].

徐洪远 .

中国专利 :CN104795496A ,2015-07-22

[3]

垂直双栅极电路结构 [P].

章正欣 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102956641A ,2013-03-06

[4]

双栅极的分离方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 ;

钟斌 ;

贺忻 .

中国专利 :CN103928348B ,2014-07-16

[5]

制造双栅极装置的结构和方法 [P].

K.特里尔 ;

白玉明 ;

D.N.帕塔纳雅克 ;

罗志云 .

中国专利 :CN102859699B ,2013-01-02

[6]

制造双栅极FET的方法 [P].

韦伯·D·范诺尔特 ;

弗朗西斯库斯·P·威德斯霍芬 ;

拉杜·芬尔代亚努 .

中国专利 :CN101142686A ,2008-03-12

[7]

形成半导体器件的双栅极的方法 [P].

金奎显 ;

崔根敏 ;

崔伯一 ;

金东柱 ;

韩智惠 .

中国专利 :CN100505217C ,2007-07-25

[8]

像素结构及双栅极像素结构 [P].

林柏辛 ;

吴纪良 .

中国专利 :CN102130136B ,2011-07-20

[9]

双栅极晶体管及应用此双栅极晶体管的像素结构 [P].

梁中瑜 ;

甘丰源 ;

张鼎张 .

中国专利 :CN101013725A ,2007-08-08

[10]

一种双栅极结构像素电路及制作方法 [P].

陈伟 ;

黄志杰 ;

苏智昱 .

中国专利 :CN111524977B ,2024-12-20

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