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一种双栅极VDMOS器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410933931.0
申请日：
2024-07-12
公开(公告)号：
CN118841446A
公开(公告)日：
2024-10-25
发明(设计)人：
许一力
申请人：
杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请人地址：
310000 浙江省杭州市萧山区永晖路548号钱江电气大厦18层
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/423
H01L27/088
代理机构：
广州粤弘专利代理事务所(普通合伙) 44492
代理人：
任远飞
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省
杭州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-25 | 公开 | 公开 |
| 2024-11-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240712 |