一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法

被引：0

申请号：

CN202210051895.6

申请日：

2022-01-17

公开(公告)号：

CN114373676A

公开(公告)日：

2022-04-19

发明(设计)人：

顾昀浦黄健孙闫涛张楠宋跃桦刘静吴平丽

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21331 H01L21336

代理机构：

广州京诺知识产权代理有限公司 44407

代理人：

于睿虬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-19	公开	公开
2022-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20220117

共 50 条

[1]

平面型VDMOS器件制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158961B ,2016-11-23

[2]

平面型VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298517B ,2017-01-04

[3]

平面型VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 ;

马万里 .

中国专利 :CN107331617A ,2017-11-07

[4]

一种平面型VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105244279B ,2016-01-13

[5]

一种平面型VDMOS器件及其制作方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN105336612A ,2016-02-17

[6]

平面型VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN113224129A ,2021-08-06

[7]

平面型VDMOS的制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298532A ,2017-01-04

[8]

平面型VDMOS的制作方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158653A ,2016-11-23

[9]

一种双栅极VDMOS器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118841446A ,2024-10-25

[10]

双栅极捆扎的VDMOS器件 [P].

S·J·阿尔贝哈斯基 ;

D·E·哈特 ;

S·乌普力 .

中国专利 :CN103035725B ,2013-04-10

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