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平面型VDMOS器件的制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610282623.1
申请日：
2016-04-29
公开(公告)号：
CN107331617A
公开(公告)日：
2017-11-07
发明(设计)人：
赵圣哲
马万里
申请人：
申请人地址：
100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
陶敏;黄健
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-11-07 | 公开 | 公开 |
| 2017-12-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160429 |
| 2022-07-29 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20220718 变更事项:专利权人 变更前权利人:北大方正集团有限公司 变更后权利人:深圳方正微电子有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 变更事项:专利权人 变更前权利人:深圳方正微电子有限公司 |
| 2019-12-31 | 授权 | 授权 |