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VDMOS器件的制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610287331.7
申请日：
2016-05-03
公开(公告)号：
CN107342224A
公开(公告)日：
2017-11-10
发明(设计)人：
赵圣哲
申请人：
申请人地址：
100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
张洋;刘芳
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-10-16 | 授权 | 授权 |
| 2017-11-10 | 公开 | 公开 |
| 2017-12-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160503 |