VDMOS器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510278374.4

申请日：

2015-05-27

公开(公告)号：

CN106298892A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

赵圣哲马万里李理

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L2966

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

张莲莲;黄健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700846236 IPC(主分类):H01L 29/66 专利申请号:2015102783744 申请日:20150527
2017-01-04	公开	公开
2020-05-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/66 申请公布日:20170104

共 50 条

[1]

VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107170682A ,2017-09-15

[2]

VDMOS 器件的制作方法 [P].

赵圣哲 ;

马万里 .

中国专利 :CN107346737A ,2017-11-14

[3]

VDMOS器件的制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104299907A ,2015-01-21

[4]

VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 ;

马万里 .

中国专利 :CN107293491A ,2017-10-24

[5]

VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107342224A ,2017-11-10

[6]

VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106257632B ,2016-12-28

[7]

VDMOS器件及VDMOS器件的制作方法 [P].

冯雪 ;

汪照贤 ;

陈颖 .

中国专利 :CN116344575B ,2024-06-18

[8]

VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106257684A ,2016-12-28

[9]

VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

任春红 .

中国专利 :CN106298928B ,2017-01-04

[10]

VDMOS器件及其制作方法 [P].

王乐 .

中国专利 :CN102299073A ,2011-12-28

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