平面型VDMOS的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510303015.X

申请日：

2015-06-04

公开(公告)号：

CN106298532A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

马万里闻正锋赵文魁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

娄冬梅;黄健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700781815 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201510303015X 申请日:20150604
2020-05-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20170104
2017-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

平面型VDMOS的制作方法 [P].

闻正锋 ;

邱海亮 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106158653A ,2016-11-23

[2]

平面型VDMOS器件制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158961B ,2016-11-23

[3]

平面型VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298517B ,2017-01-04

[4]

平面型VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 ;

马万里 .

中国专利 :CN107331617A ,2017-11-07

[5]

一种平面型VDMOS器件及其制作方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN105336612A ,2016-02-17

[6]

平面型VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN113224129A ,2021-08-06

[7]

一种平面型VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105244279B ,2016-01-13

[8]

平面型VDMOS的制造方法 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298525A ,2017-01-04

[9]

一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法 [P].

顾昀浦 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

张楠 ;

宋跃桦 ;

刘静 ;

吴平丽 .

中国专利 :CN114373676A ,2022-04-19

[10]

VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107170682A ,2017-09-15

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