一种降低电磁干扰及其噪声的VDMOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421640817.0

申请日：

2024-07-11

公开(公告)号：

CN223007814U

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

许一力

申请人：

杭州谱析光晶半导体科技有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区永晖路548号钱江电气大厦18层

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

广州粤弘专利代理事务所(普通合伙) 44492

代理人：

任远飞

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种降低栅极电场的VDMOS器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118866970A ,2024-10-29

[2]

一种槽栅超结VDMOS器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN223007812U ,2025-06-20

[3]

一种双栅极VDMOS器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118841446A ,2024-10-25

[4]

用于降低电磁干扰噪声的电路 [P].

李进涉 .

中国专利 :CN102545583B ,2012-07-04

[5]

一种具有降低VDMOS恢复时间效果的半导体器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN222827578U ,2025-05-02

[6]

一种P沟道VDMOS器件及其制备方法 [P].

牛玉玮 ;

吴海舟 ;

张彦飞 ;

刘梦新 ;

温霄霞 .

中国专利 :CN119300389A ,2025-01-10

[7]

一种提高雪崩耐量的VDMOS [P].

许一力 .

中国专利 :CN222764203U ,2025-04-15

[8]

一种新型结构的VDMOS器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN203288599U ,2013-11-13

[9]

一种VDMOS器件及其制造方法 [P].

任敏 ;

蔡果 ;

杨珏琳 ;

牛博 ;

郭绪阳 ;

曹晓峰 ;

李泽宏 ;

高巍 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN104992976B ,2015-10-21

[10]

一种低电磁干扰功率器件终端结构 [P].

蔡少峰 ;

任敏 ;

高巍 ;

李科 ;

陈凤甫 ;

邓波 ;

贺勇 ;

蒲俊德 .

中国专利 :CN110808245A ,2020-02-18

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