一种槽栅超结VDMOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421627683.9

申请日：

2024-07-10

公开(公告)号：

CN223007812U

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

许一力

申请人：

北京清芯微储能科技有限公司

申请人地址：

100000 北京市大兴区北京经济技术开发区永昌北路9号1幢4层416-40号（集群注册）

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

广州粤弘专利代理事务所(普通合伙) 44492

代理人：

任远飞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	授权	授权

共 50 条

[1]

槽栅超结VDMOS器件及芯片 [P].

任敏 ;

李长泽 ;

李泽宏 ;

李伟聪 ;

林泳浩 .

中国专利 :CN214848642U ,2021-11-23

[2]

一种超结VDMOS器件 [P].

任敏 ;

谭键文 ;

骆俊毅 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN209963063U ,2020-01-17

[3]

槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备 [P].

任敏 ;

李长泽 ;

李泽宏 ;

李伟聪 ;

林泳浩 .

中国专利 :CN113327984B ,2021-08-31

[4]

一种超结VDMOS器件 [P].

任敏 ;

谭键文 ;

骆俊毅 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110310983A ,2019-10-08

[5]

一种超结VDMOS器件 [P].

任敏 ;

谭键文 ;

骆俊毅 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN110310983B ,2024-02-23

[6]

一种超结VDMOS器件 [P].

周宏伟 ;

任文珍 ;

张园园 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN205789988U ,2016-12-07

[7]

一种超结VDMOS器件 [P].

任敏 ;

罗蕾 ;

谢驰 ;

李泽宏 ;

高巍 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN107482049B ,2017-12-15

[8]

一种外延沟道超结VDMOS器件 [P].

范捷 ;

万立宏 ;

王绍荣 .

中国专利 :CN208674125U ,2019-03-29

[9]

一种槽栅超结器件 [P].

李泽宏 ;

杨梦琦 ;

王梁浩 ;

蒲小庆 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN109065629B ,2018-12-21

[10]

超结VDMOS的制备方法及其超结VDMOS器件 [P].

周宏伟 ;

任文珍 ;

张园园 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN105489500A ,2016-04-13

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