一种双栅极TFT器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811212927.6

申请日：

2018-10-18

公开(公告)号：

CN109494256A

公开(公告)日：

2019-03-19

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

351100 福建省莆田市涵江区涵中西路1号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214

代理人：

林志峥

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20190319
2019-03-19	公开	公开
2019-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20181018

共 50 条

[1]

一种双栅极TFT器件及其制造方法 [P].

陈伟 ;

李澈 .

中国专利 :CN114937703A ,2022-08-23

[2]

双栅极TFT基板的制作方法及其结构 [P].

李文辉 .

中国专利 :CN104952880A ,2015-09-30

[3]

双栅极器件以及双栅极器件的制造方法 [P].

徐洪远 .

中国专利 :CN104795496A ,2015-07-22

[4]

TFT器件及其制备方法 [P].

翟玉浩 .

中国专利 :CN112951924B ,2021-06-11

[5]

一种双栅极VDMOS器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118841446A ,2024-10-25

[6]

一种柔性TFT器件及其制备方法 [P].

龚岩芬 ;

龚政 ;

胡诗犇 ;

陈志涛 ;

郭婵 ;

王建太 ;

庞超 ;

潘章旭 ;

刘久澄 .

中国专利 :CN111900252B ,2024-02-20

[7]

一种柔性TFT器件及其制备方法 [P].

龚岩芬 ;

龚政 ;

胡诗犇 ;

陈志涛 ;

郭婵 ;

王建太 ;

庞超 ;

潘章旭 ;

刘久澄 .

中国专利 :CN111900252A ,2020-11-06

[8]

一种双栅极结构像素电路 [P].

陈伟 ;

黄志杰 ;

苏智昱 .

中国专利 :CN212485338U ,2021-02-05

[9]

TFT器件结构及其制作方法 [P].

黄秋平 .

中国专利 :CN105870201B ,2016-08-17

[10]

栅极结构及其制备方法、半导体器件 [P].

晋东坡 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN120529625A ,2025-08-22

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