一种双栅极结构像素电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020577757.8

申请日：

2020-04-17

公开(公告)号：

CN212485338U

公开(公告)日：

2021-02-05

发明(设计)人：

陈伟黄志杰苏智昱

申请人：

申请人地址：

351100 福建省莆田市涵江区涵中西路1号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2732 H01L21336 H01L2134

代理机构：

福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219

代理人：

黄以琳;张忠波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种双栅极结构像素电路及制作方法 [P].

陈伟 ;

黄志杰 ;

苏智昱 .

中国专利 :CN111524977B ,2024-12-20

[2]

一种双栅极结构像素电路及制作方法 [P].

陈伟 ;

黄志杰 ;

苏智昱 .

中国专利 :CN111524977A ,2020-08-11

[3]

像素结构及双栅极像素结构 [P].

林柏辛 ;

吴纪良 .

中国专利 :CN102130136B ,2011-07-20

[4]

垂直双栅极电路结构 [P].

章正欣 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102956641A ,2013-03-06

[5]

双栅极晶体管电路、像素电路及其栅极驱动电路 [P].

曹书玮 ;

林其叡 ;

吴淑芬 ;

游伟盛 .

中国专利 :CN109272920A ,2019-01-25

[6]

双栅极晶体管及应用此双栅极晶体管的像素结构 [P].

梁中瑜 ;

甘丰源 ;

张鼎张 .

中国专利 :CN101013725A ,2007-08-08

[7]

双栅极薄膜电晶体与像素结构及其制造方法 [P].

刘文雄 ;

何建国 ;

陈盈惠 .

中国专利 :CN1716632A ,2006-01-04

[8]

一种双栅极光电薄膜晶体管、像素电路及像素阵列 [P].

王凯 ;

陈军 ;

欧海 .

中国专利 :CN103762251B ,2014-04-30

[9]

一种双栅极TFT器件结构及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109494256A ,2019-03-19

[10]

制作双栅极结构的方法 [P].

陈胜雄 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN1191611C ,2003-10-22

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